SI7108DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/4.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7108DN-T1-GE3 MOS管，采用业界领先的N沟道设计，封装紧凑且高效——DFN3X3-8L规格，特别适用于空间有限的精密电路。该器件拥有20V的稳定工作电压VDSS，最大连续电流可达60A，展现出卓越的电流处理能力。尤为突出的是其超低的导通电阻仅4mR，旨在提升系统能效，减少损耗。此款MOS管适用于高功率密度应用，包括但不限于电源转换器、大电流开关控制器等，是追求高性能电子产品的必备元件。
