SIS410DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/4.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIS410DN-T1-GE3 MOS管是一款高性能N沟道半导体组件，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，体积小，性能强。其特点在于20V的最大耐压值VDSS，能够承载高达60A的连续电流ID，而仅4mR的超低导通电阻使其在同类产品中脱颖而出，大大提升了电源转换效率和整体系统性能。本产品广泛适用于高压、大电流应用场景，如电源管理、马达驱动等，是您实现高效能电路设计的理想选择。
