FDMC8554_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/4.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDMC8554 MOS管选用N沟道结构，搭配前沿DFN3X3-8L封装，紧凑且高效。这款器件具有20V的工作电压VDSS，可承载高达60A的连续电流ID，表现出卓越的电流传送能力。其亮点在于极低的导通电阻仅4mR，有助于降低功耗，提高系统能效比。适用于高功率密度的电源转换、大电流驱动应用领域，是您构建高性能电子系统的优质选择。
