NVTFS008N04C_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.9mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
NVTFS008N04C 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，特别适用于空间有限和高集成度的电子设计。器件具有40V的漏源电压(VDSS)，能够承载高达60A的连续漏极电流(ID)，并拥有优异的导通电阻性能，仅为6.9mΩ(RD(on))，确保了高效的功率转换和较低的损耗。该MOS管广泛应用于电源转换器、电池管理系统、电机驱动等高功率应用场合，是您提升系统性能和能效的理想选择。
