NVTFWS008N04C_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.9mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NVTFWS008N04C 是一款高性能N沟道MOSFET，采用节省空间的DFN3X3-8L封装，专为高密度电路板设计。器件具有40V的漏源耐压(VDSS)，可承受高达60A的连续漏极电流(ID)，并具有出色的导通电阻6.9mΩ(RD(on))，在高效能应用中表现出色，有效降低功耗。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、快速充电器等高功率领域，是提高系统能效的理想选择。
