NVTFS5C466NL_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.9mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NVTFS5C466NL 是一款N沟道MOSFET，采用先进DFN3X3-8L封装，适宜空间有限的设计需求。器件提供40V的漏源电压(VDSS)，支持高达60A的连续漏极电流(ID)，并具有低至6.9mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在高功率应用中实现高效能和低损耗。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种场景，是优化系统性能和节能效果的理想半导体元件选择。
