MDV3605URH_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/40.0A 参数4：RDON/13.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
MDV3605URH P沟道MOSFET以其先进的DFN3X3-8L封装形式展现，实现小尺寸与优良散热性能的完美结合。器件核心参数优越支持高达30V的电压额定值(VDSS)，连续通过电流高达40A，且具有出色的13mΩ导通电阻(RD(on))，确保了高效的电力传输和极低的能量损耗。适用于电源转换、电机驱动等各种严苛环境下的高功率应用，是提升系统效能和节能方案的理想半导体组件。
