NVTFS4C10N_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/100.0A 参数4：RDON/4.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NVTFS4C10N 是一款采用DFN3X3-8L封装的高性能N沟道MOS管，专为高集成度和紧凑空间应用设计。该器件支持30V的VDSS电压，具备高达100A的连续漏极电流ID能力，确保在高电流工况下稳定运行。其导通电阻RD(on)低至4mΩ，有助于降低系统功耗，提升电源效率。NVTFS4C10N MOS管广泛应用在电源转换、电机驱动等高功率场景中，以卓越的电气性能为各类电子设备提供强劲支持。
