SI7613DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/48.0A 参数4：RDON/7.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7613DN-T1-GE3 P沟道MOS管，采用小型化DFN3X3-8L封装工艺，实现更高集成度与散热效率。器件工作电压VDSS高达20V，最大连续漏极电流ID为48A，彰显卓越的电流传送性能。其亮点在于极低的导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ，有助于大幅削减系统损耗，提升整体效能。这款MOS管适用于电源管理、电池保护等高电流应用场合，凭借强大的电流承载能力和优秀的能效表现，SI7613DN-T1-GE3 成为现代电子产品设计的理想半导体组件选择。
