SIS402DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/100.0A 参数4：RDON/4.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SIS402DN-T1-GE3 MOS管是一款采用小型化DFN3X3-8L封装技术的高性能N沟道MOSFET。其关键特性包括30V的最大漏源电压VDSS，以及强大的100A连续电流ID处理能力，充分满足高功率应用需求。尤为突出的是其优异的导通电阻RD(on)，低至4mR，旨在最大程度地减小传导损耗，提高整体系统效能，特别适用于开关电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等对效率与散热有严格要求的场景，是您实现高效能电路设计的理想组件。
