SI7415DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/55.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SI7415DN-T1-GE3 是一款采用先进DFN3X3-8L封装技术的P沟道MOS管，以其紧凑结构和优良性能脱颖而出。其具备60V的高额定漏源电压VDSS，可承载20A连续电流ID，适合于高压应用环境。同时，导通电阻RD(on)仅为55mR，有效降低功率损耗，提高整体能效。这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是追求高效、节能电路设计的理想元件。
