NTTFS4929N_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/7.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTTFS4929N N沟道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封装，特别适合现代紧凑型电子设备需求。该器件具有30V的击穿电压（VDSS），能够承受高达50A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其优秀的导通电阻仅为7.5mΩ（RD(on)），大大降低了传导损耗，提高了能源转换效率。这款MOS管广泛应用于高端开关电源、电机驱动及高速信号切换等领域，是高要求电路设计的理想解决方案。
