AON7400A_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AON7400A N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，结合了高效散热与小巧体积设计。该器件性能强劲额定漏源电压(VDSS)高达30V，可稳定承载60A连续电流，且导通电阻(RD(on))仅为6mΩ，确保了卓越的电力传输效率和低损耗运行。广泛应用于电源转换、负载开关等高电流处理场景，是提升系统性能与节能方案的理想半导体元件选择。
