CSD17578Q3A_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
CSD17578Q3A N沟道MOSFET采用先进的DFN3X3-8L封装技术，实现小型化与高效散热的完美结合。该器件性能卓越，具有30V的最大漏源电压(VDSS)，支持高达60A的连续工作电流，其导通电阻(RD(on))低至6mΩ，确保了出色的能效比和低功耗表现。广泛应用在电源转换、电池管理系统、电机驱动等领域，是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。
