CSD17308Q3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
CSD17308Q3 N沟道MOSFET采用精巧DFN3X3-8L封装，实现卓越散热性能与紧凑设计。该器件性能强大额定漏源电压(VDSS)高达30V，可承载60A连续大电流，而6mΩ的低导通电阻(RD(on))确保了高效率、低损耗的功率转换。广泛应用于电源转换、电机驱动等高电流场景，是提升系统效能和节能方案的理想半导体元器件。
