CSD17579Q3A_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
CSD17579Q3A N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为高效空间利用而设计。该器件拥有30V的最大额定电压（VDSS），并可承载强大的60A连续漏极电流，性能卓越。尤其突出的是其超低的导通电阻6mΩ（RD(on)），显著减少功率损耗，提高整体工作效率。这款MOS管适用于各类高性能开关电源、马达驱动及大电流控制场景，是工程师的理想之选。
