SM32314D1RL_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SM32314D1RL N沟道MOSFET，采用先进DFN3X3-8L封装技术，结构紧凑，节省电路板空间。该器件具有30V的最高耐压（VDSS），并提供高达60A的持续漏极电流（ID），性能强大稳定。尤为值得一提的是其出色的导通电阻仅为6mΩ（RD(on)），有效减少了能耗，提升了系统的功率转换效率。这款MOS管非常适合应用于高功率密度的开关电源、电机驱动控制以及高电流管理方案中。
