NVTFS4C13N_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NVTFS4C13N N沟道MOSFET采用小型化DFN3X3-8L封装，专为高集成度电路设计，体积小但性能强劲。该器件具有30V的电压额定值（VDSS），并能在高功率条件下承载60A的连续漏极电流，展现出卓越的电流承载力。其导通电阻低至6mΩ（RD(on)），有助于降低系统损耗，提升整体能效。此款MOS管适用于电源转换、电机驱动、高功率开关电路等各种高电流与高效率应用场合。
