NVTFS5826NL_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/24.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NVTFS5826NL 是一款高性能N沟道MOS管，采用小型DFN3X3-8L封装，特别适合于高功率密度和低功耗应用设计。该器件拥有60V的漏源电压VDSS和30A的强大连续电流ID处理能力，确保在高电压大电流条件下稳定运行。其出色的导通电阻RD(on)仅为24mR，有效减少功率损耗并大幅提升系统效率。此款MOS管广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，是高效率、高品质电路设计的理想之选。
