NVTFS4C06N_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/100.0A 参数4：RDON/4.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NVTFS4C06N 型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装设计，整合了高集成度与高效散热性能，尤其适用于现代电子设备的精细化布线需求。该器件额定电压VDSS为30V，可处理高达100A的连续电流ID，体现卓越的电力传输效能。其4mR超低导通电阻，有效提升系统能效并降低功耗。
