SI1013X-T1-GE3_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-523 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/0.7A 参数4：RDON/260.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI1013X-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用超小型SOT-523封装，特别适合于紧凑型电子设备的内部空间优化。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定传输0.7A漏极电流(ID)，同时，它还具有260mR的导通电阻(RD(on))，确保在低电压、小电流应用中实现良好性能和低功耗。这款MOS管广泛应用于电源管理、电池保护、逻辑电平转换等场景，是小型化电子产品设计的理想半导体组件。
