RUE002N02_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-523 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/0.8A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
RUE002N02 是一款采用精巧SOT-523封装的高效能N沟道MOSFET，具备出色的电性参数。其工作电压VDSS高达20V，连续通过电流ID高达0.8A，同时拥有超低导通电阻RD(on)，仅为100mR，确保了器件在运行中的高效能与低损耗表现。这款MOS管非常适合应用于各类电源转换、电池保护、便携式设备及消费电子产品的电路设计中，为您的产品带来更强的功率管理和更高的能效比。
