SI1012R-T1-GE3_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-523 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/0.8A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI1012R-T1-GE3 是一款采用微型SOT-523封装的高品质N沟道MOSFET。它具备卓越的电气性能，工作电压VDSS高达20V，可承载最大连续电流ID为0.8A，而且拥有极为出色的导通电阻RD(on)仅100mR，有助于提升系统能效并减小能耗。此款MOS管适合用于电源转换、电池供电设备、智能家居产品及其他空间受限但需高性能开关功能的场合，是工程师优化电路设计的理想选择。
