SI1012X-T1-GE3_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-523 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/0.8A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI1012X-T1-GE3 是一款采用先进SOT-523封装技术的高性能N沟道MOS管。器件具有强大而稳定的电气性能，额定电压VDSS高达20V，可持续提供0.8A的最大电流ID，同时拥有出色的导通电阻RD(on)低至100mR，确保高效低耗运行。这款MOS管广泛应用于各类电源转换、负载驱动、便携设备以及智能硬件领域，凭借其卓越的性能和紧凑封装，为用户在设计过程中实现最佳的功率管理方案。
