SI1032R-T1-GE3_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-523 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/0.8A 参数4：RDON/180.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI1032R-T1-GE3 是一款高端N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-523封装设计，适用于空间有限的应用场景。器件特点鲜明，具有20V的VDSS电压，可承载0.8A连续电流ID，而其优异的导通电阻RD(on)低至180mR，确保了高效能和低功耗运行。此款MOS管适用于电源转换、电池管理系统、消费电子等多种领域，是提升系统性能、优化能源利用的理想半导体器件选择。
