DMN2065UW_SOT-323_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-323 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.0A 参数4：RDON/49.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
DMN2065UW 是一款精巧的N沟道MOSFET，采用微型SOT-323封装，专为紧凑型电子设备设计。器件具备20V的最大漏源电压(VDSS)，能稳定驱动2A的连续漏极电流(ID)，且其出众的导通电阻仅为49mΩ(RD(on))，确保了较低的功耗和较高的系统效率。这款MOS管广泛应用于便携式设备、电源管理和逻辑门控电路中，是实现小型化、高效能电路的理想选择。
