MCH3479_SOT-323_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-323 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.0A 参数4：RDON/49.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
MCH3479 是一款小巧的N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-323封装，特别适用于高密度电路设计。该器件支持最大漏源电压20V(VDSS)，并能提供稳定的2A漏极电流(ID)，其亮点在于拥有49mΩ的低导通电阻(RD(on))，有效降低了系统功耗，提升了能效比。MCH3479 MOS管广泛应用于移动设备、电源控制、逻辑切换等领域，是小型化、节能电子产品设计的理想组件。
