MMBF2201NT1_SOT-323_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-323 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.0A 参数4：RDON/49.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
MMBF2201NT1 N沟道MOSFET采用小巧精密的SOT-323封装，实现空间利用率最大化。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，在导通状态下可承载2A的漏极电流(ID)，同时保持优秀的低导通电阻49mR(RD(on))，从而有效提高系统效能，减少能量损失。这款MOS管广泛应用在开关电源转换、马达驱动、消费电子产品等场景中，是工程师打造高性能、低能耗电路的理想之选。
