DMP2066LSN_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/30.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMP2066LSN P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装设计，适合空间受限的现代电子应用。器件特性卓越额定工作电压VDSS为20V，可承载5A的连续漏极电流，确保在低压环境下稳定运行；30mΩ的低导通电阻RD(on)，有助于减少功率损耗，提高系统效率。适用于电源转换、负载开关控制、电池保护等场景，是您实现高集成度与节能设计的理想MOS管方案。
