Si2323CDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/30.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2323CDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适合现代微小电子设备设计。该器件规格出色最大工作电压VDSS为20V，能够承载5A的连续漏极电流，确保稳定运行；其导通电阻RD(on)低至30mΩ，旨在最大程度减少能耗，提升系统效率。广泛应用在电源转换、负载开关控制、电池保护等方面，是您实现高集成度与节能目标的理想MOS管解决方案。
