Si2323DDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/30.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2323DDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用业界标准SOT-23封装，专为紧凑型电子设计提供卓越性能。该器件特性鲜明具有20V的最大工作电压VDSS，能稳定处理5A的漏极电流；并且，其30mΩ的低导通电阻RD(on)设计大大减少了功率损失，提高了系统整体能效。广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护等电路设计中，是您寻求高性能、节能方案的理想MOS管元件选择。
