Si2323DS-T1-E3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/30.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2323DS-T1-E3 是一款P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为紧凑电子设计提供高集成度解决方案。该器件特性显著具备20V的最大工作电压VDSS，可安全承载5A的连续漏极电流；其低至30mΩ的导通电阻RD(on)，旨在最大限度地降低功耗，提升系统能效。适用于电源转换、负载开关、电池保护等广泛应用场景，是您追求节能与高性能的理想MOS管器件选择。
