Si2305CDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/30.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2305CDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用轻巧的SOT-23封装，专为小型化电子设备提供高效能解决方案。该器件拥有以下关键特性最大工作电压VDSS为20V，确保在高电压环境下稳定运行；具备5A的漏极电流能力，满足多种电流需求；导通电阻RD(on)低至30mΩ，有助于减少功耗，提升整体效率。广泛用于电源转换、负载开关控制和电池保护等场景，是您理想中的高集成度与节能型MOS管组件。
