Si2333DS_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/30.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2333DS 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为紧凑型电子设备设计。其核心性能包括最大工作电压VDSS为20V，可持续提供5A的漏极电流；而30mΩ的低导通电阻RD(on)，确保了在工作状态下的低功耗与高效能表现。广泛运用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是您在实现高集成度和节能目标时的理想MOS管组件。
