Si2392ADS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/110.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
型号Si2392ADS-T1-GE3 的N沟道MOS管采用节省空间的SOT-23封装，专为现代高密度电子设计优化。该器件具备卓越电气性能，最大工作电压VDSS高达100V，连续电流ID可承载5A，适合高电压大电流应用。其导通电阻RD(on)为110mR，即使在大电流传输时也能保持较低的功率损耗。广泛应用于电源转换、电机控制、开关电源等领域，是工程师设计高效能、低损耗电路的理想半导体元件。
