Si2324DS_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOT-23 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:3000圆盘 参数1:N沟道 参数2:VDSS/100.0V 参数3:ID/3.0A 参数4:RDON/210.0mR 标价:欢迎咨询
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产品介绍
型号Si2324DS 的N沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装,特别适合于空间有限的电路板设计。这款器件具备出色的电气性能,最大工作电压VDSS高达100V,连续电流ID可处理3A,适用于中高电压应用环境。尽管导通电阻RD(on)为210mR,但在相应的电流水平下仍能保持合理的能效表现。广泛应用于电源转换、负载切换、电机驱动等各类电路中,是工程师设计高性价比电子产品的理想MOS管选择。