PMV40UN2R_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/33.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
PMV40UN2R N沟道MOS管采用节省空间的SOT-23封装，专为优化电路布局而设计。器件支持最大30V的漏源极电压(VDSS)，具备5A的强大连续漏极电流(ID)处理能力，适用于多种中高功率应用场合。其亮点在于拥有33mΩ的低导通电阻(RD(on))，显著降低功耗，提升能效表现。这款MOS管广泛应用在电源管理、电池保护、以及其他需要高效能、小体积半导体解决方案的领域。
