DMN3150L_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/33.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN3150L 是一款精巧的N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装形式，专为紧凑型电路设计打造。器件的核心优势在于具备30V的漏源极最大耐压(VDSS)，可持续承载5A的漏极电流(ID)，确保强大而稳定的电流处理性能。尤为突出的是其低至33mΩ的导通电阻(RD(on))，有效减少了功耗，提高了系统能效。这款MOS管广泛应用在电源转换、负载切换以及各种要求高效、低阻抗半导体解决方案的场景中。
