ZXMN3B01F_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/33.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ZXMN3B01F 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，旨在优化空间占用并保持高性能。该器件支持30V的漏源电压(VDSS)，具备5A的连续漏极电流(ID)，确保在高功率应用中的稳定性。其导通电阻(RD(on))仅为33mΩ，有助于大幅度提高系统效率，降低能耗。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，是追求效能与小型化的绝佳半导体组件。
