Si2308BDS-T1-E3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/3.0A 参数4：RDON/72.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2308BDS-T1-E3 N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为高密度电子设计提供解决方案。此器件具备强大性能，工作电压高达60V，连续输出电流达3A，且拥有优秀的导通电阻仅为72mΩ，显著提升系统效率并降低能耗。适用于电源转换、负载开关以及电机驱动等广泛应用领域，以卓越的品质与可靠的性能，助您的电路设计实现效能升级。
