DMN6075S_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/3.0A 参数4：RDON/72.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN6075S N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，集高效与小巧于一体。该器件凭借卓越参数脱颖而出，包括60V的最大漏源电压(VDSS)，3A连续drain电流能力以及低至72mΩ的导通电阻，有效保障了系统的高效率和低功耗运作。广泛应用在电源转换、负载开关、电机驱动等领域，以强大的性能表现和可靠品质，为您的电路设计增添强劲动力。
