ZXMN6A07F_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/3.0A 参数4：RDON/72.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ZXMN6A07F N沟道MOS管采用了节省空间的SOT-23封装技术，为您的电路设计提供灵活高效的解决方案。该器件关键性能指标卓越，具备60V的最高漏源电压(VDSS)，支持高达3A的连续电流，同时具有低至72mΩ的导通电阻，从而确保了在各种应用中的低功耗和高效能表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，以出色的性能和信赖性，助力您的电子项目实现更高水准的性能优化。
