Si2308CDS_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/3.0A 参数4：RDON/72.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2308CDS N沟道MOSFET采用精巧的SOT-23封装，旨在满足现代电子产品的小型化需求。该器件性能强大，具备60V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载3A电流，并具有低至72mΩ的导通电阻，有效保证了系统运行的高效率和低能耗。广泛应用于电源管理、电机驱动、开关调节等多个领域，以出色的性能和高可靠性，赋能您的电路设计，实现卓越的系统性能表现。
