DMN2020LSN_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN2020LSN N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能电子设备设计。该器件拥有20V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达5A的连续电流，导通电阻低至14mΩ，确保了系统在大电流传输下的高效稳定运行。广泛适用于电源转换、电机控制、负载开关等各种需要高性能N沟道MOS管的应用场景，是您优化电路设计、提升系统效能的理想之选。
