Si2347DS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/28.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2347DS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOS管，采用经济实用的SOT-23封装，适用于各类精密电子设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定输出6A的漏极电流(ID)，并以28mΩ的低导通电阻(RD(on))实现高效能与低功耗。广泛应用于电源切换、负载驱动、电池保护等领域，是您优化电路设计，提升系统性能的理想半导体器件选择。
