Si2312BDS-T1-E3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/3.0A 参数4：RDON/23.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2312BDS-T1-E3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高效能、低功耗电路设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载3A的漏极电流(ID)，并具备出色的23mΩ导通电阻(RD(on))，确保了良好的能源转换效率。广泛应用于电源管理、负载开关、电池管理系统等场景，是构建小型化、节能型电子设备的优秀半导体组件。
