Si2312BDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/3.0A 参数4：RDON/23.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2312BDS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度和低功耗应用设计。器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并可承受3A的连续漏极电流(ID)，凭借其卓越的23mΩ导通电阻(RD(on))，在保证高效率的同时有效降低功耗。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护等电路中，是实现小型化、节能电子设备的理想半导体元件。
