Si2374DS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/3.0A 参数4：RDON/23.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2374DS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效率和小型化电子设备设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载3A的连续漏极电流(ID)，并具有出色的23mΩ导通电阻(RD(on))，确保了高效能和低功耗表现。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护等电路中，是打造节能型、紧凑电子解决方案的理想半导体组件。
