Si2302DS_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.3A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2302DS 是一款高效N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高能效和低功耗电子应用设计。器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定承载2.3A的连续漏极电流(ID)，其48mΩ的导通电阻(RD(on))确保了在低功耗下仍具有出色的电能转换效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护系统等领域，是构建小型化、节能型电子解决方案的理想半导体元件。
