DMN3033LSNQ_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/5.8A 参数4：RDON/22.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN3033LSNQ N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，为现代电子设备提供强劲动力支持。这款器件具备30V的高耐压值(VDSS)，能在导通状态下安全承载高达5.8A的大电流，且拥有出众的低导通电阻特性——仅22mR(RD(on))。它非常适合应用于开关电源转换、大电流电机驱动及其他对能效与稳定性有较高要求的场合，是您提升系统性能、优化能源利用的理想半导体器件之选。
